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MOS管擊穿電壓測試數(shù)字源表需要幾臺源表？搭建方案示意圖？
①、三極管測試時一臺加在基極與發(fā)射極之間，一臺加在集電極與發(fā)射極之間；MOS管測試時一臺加在柵極與源極之間，一臺加在漏極與源極之間；需要使用兩臺直流源表同步觸發(fā)使用，或使用插卡式直流源表；
②、三極管的基極及MOS管的柵極一般耐壓值較低于30V，基于最高性價比考慮，其中一臺使用S100即可，另一臺根據(jù)三極管的集電極或MOS管的漏極耐壓而定，普賽斯儀表推出的功率器件靜態(tài)測試儀可精準測量MOSFET、BJT、IGBT等的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達3KV,電流可高達4KA。該系統(tǒng)可測量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性，uΩ級電阻，pA級電流精準測量等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)采用模塊化設計，方便用戶添加或升級測量模塊，適應測量功率器件不斷變化的需求。
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