深圳市光華創(chuàng)新科技有限公司

 臺(tái)灣通嘉開關(guān)電源驅(qū)動(dòng)芯片LD5523NGL-M具有集成 BNI/BNO 和保護(hù)功能的反激式多模式 PWM 控制器，為提高效率性能，LD5523NGL-M 集成了多模式 PWM 控制器，該控制器由用于輕載條件的準(zhǔn)諧振 (QR) PWM 控制和用于重載條件的連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 組成。而且，QR控制器不僅提升了系統(tǒng)性能，還帶來(lái)了更差的EMI能力，而LD5523NGL-M的頻率交換功能可以降低SMPS的EMI輻射，幫助電源電路設(shè)計(jì)人員簡(jiǎn)單處理EMI濾波器，節(jié)省幾個(gè)元件和發(fā)展時(shí)間。

LD5523NGL-M 采用 SOT-26 封裝，包括全面的保護(hù)功能，如過載保護(hù) (OLP)、過壓保護(hù) (OVP)、輸出短路保護(hù) (OSCP) 和內(nèi)部過溫保護(hù) (OTP)。此外，可編程的降壓輸入/輸出和大容量電容。 OVP 保護(hù)是內(nèi)置的。

 

特征

具有準(zhǔn)諧振 + CCM 操作的次級(jí)側(cè)反饋控制

低啟動(dòng)電流 (<1mA)

0.285mA 輕載超低工作電流

具有逐周期電流限制的電流模式控制

綠色模式控制

UVLO（欠壓鎖定）

CS 引腳上的 LEB（前沿消隱）

VCC OVP（過壓保護(hù)）

FB 引腳上的 OVP / UVP

BNI/BNO，Bulk cap。 FB 引腳上的 OVP

OLP（過載保護(hù)）

CS 引腳上的外部 OTP（過溫保護(hù)）

內(nèi)部 OTP（過溫保護(hù)）

SDSP（二級(jí)二極管短路保護(hù)）

柵極源極/漏極能力：220mA/-350mA @ 輸出引腳，帶 33nF 電容器。

 

應(yīng)用

開關(guān)式 AC/DC 適配器

 

電路圖