 專業(yè)分銷BASiC基本半導體碳化硅SiC功率MOSFET，BASiC基本半導體碳化硅功率器件，BASiC SiC MOSFET,BASiC SiC JBS碳化硅二極管,BASiC SiC碳化硅模塊，BASiC基本半導體SiC碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本半導體單管IGBT，BASiC基本半導體IGBT模塊，BASiC基本半導體三電平IGBT模塊，BASiC基本半導體I型三電平IGBT模塊，BASiC基本半導體T型三電平IGBT模塊，BASiC 混合IGBT單管，BASiC 混合IGBT模塊，BASiC 三電平IGBT模塊。BASiC基本半導體碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導體混合SiC-IGBT單管，BASiC基本半導體混合SiC-IGBT模塊適合應用于雙向AC-DC電源，能量的雙向流通的雙向 LLC 諧振變換器，變換效率高，儲能變流器碳化硅SiC功率MOSFET，基本半導體混合IGBT模塊被廣泛應用于新能源領域，醫(yī)療電源，X射線高壓電源，大功率高頻高速變頻器,BASiC基本半導體碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導體混合SiC-IGBT單管，BASiC基本半導體混合SiC-IGBT模塊使用于雙向DC/DC變換器為雙向非隔離型直流變換器，實現(xiàn)直流升壓降壓轉換，儲能PCS-Buck-Boost電路，高壓側接入PV直流側，三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓撲，低壓側接電池組。
基本半導體混合SiC功率模塊 Hybrid SiC Module主要特點： 1.與普通IGBT模塊相比，混合SiC模塊可大幅降低FRD的開關損耗與 IGBT 的開通損耗，有助于電力電子設備的降低功率損耗。不同應用條件下總損耗可以
降低20~40%。相對全SiC模塊，性價比更高。
2.可以顯著提高功率模塊開關頻率。因此有助于縮減輸出濾波電感電容等周邊元器件的規(guī)格成本，實現(xiàn)整機的小型化、在現(xiàn)有系統(tǒng)的不變的情況下，將普通IGBT模塊更換為混合SiC模塊實現(xiàn)更大的輸出功率。
3.多種電流及封裝規(guī)格,半橋結構。EconoDUAL™ 3 Hybrid SiC Module:300A,450A,600A,800A 1200V 62mm STD 2in1 :300A,450A,600A,800A 1200V
典型應用：測試電源-直流源，除塵電源，等離子切割，電源醫(yī)療電源CT， MRI，軌道交通輔助電源
LLC諧振變換器能實現(xiàn)全負載范圍內開關管的零電壓開通(ZVS,Zero Voltage Switching),相比其他開關電源,其輸入輸出電壓調節(jié)范圍較寬,且具有高效率,低噪聲,高功率密度等諸多優(yōu)點.與傳統(tǒng)Si基功率器件相比,BASiC基本半導體碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導體混合SiC-IGBT單管，BASiC基本半導體混合SiC-IGBT模塊具有更加優(yōu)良的特性,更加適用于高頻高壓大功率場合.針對單相LLC諧振變換器在大電流大功率輸出應用時的不足,采用三相交錯并聯(lián)的LLC諧振變換器拓撲并將其與BASiC基本半導體碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導體混合SiC-IGBT單管，BASiC基本半導體混合SiC-IGBT模塊相結合提升功率密度.雙向LLC諧振變換器廣泛應用于充電樁電源模塊，V2G電源模塊，電網儲能PCS，從調峰調頻到備電、價差套利，儲能將成為新型電力系統(tǒng)的穩(wěn)定器，雙向LLC諧振變換器電源模塊化助推儲能PCS業(yè)務發(fā)展。
BASiC基本半導體650V/1200V Hybrid IGBT 單管IGBT TO274-3和TO247-4 具備高速IGBT技術和碳化硅肖特基二極管的主要優(yōu)點，具備出色的開關速度和更低的開關損耗，TO-247 4 引腳封裝具有一個額外的開爾文發(fā)射極連接。此 4 引腳也被稱為開爾文發(fā)射極端子，繞過柵極控制回路上的發(fā)射極引線電感，從而提高 IGBT或者碳化硅MOSFET 的開關速度并降低開關能量。英飛凌單管IGBT國產代替主要規(guī)格有BG50N65HA1，BGH50N65HF1（IKW50N65RH5國產替代，AIKW50N65RF5國產替代，IKW50N65ES5國產替代，IKW50N65EH5國產替代，IKW50N65ET7國產替代），BGH50N65HS1典型應用戶用光伏儲能機雙向Buck-Boost電路，單相光伏逆變器Heric電路 (IKW50N65SS5國產替代),BGH50N65ZF1（IKZA50N65RH5，IKZA50N65SS5國產替代），BG75N65HA1，BGH75N65HF1（IKW75N65RH5國產替代，IKW75N65ES5國產替代，IKW75N65EH5國產替代，IKW75N65ET7國產替代），BGH75N65HS1典型應用戶用光伏儲能機雙向Buck-Boost電路，單相光伏逆變器Heric電路 (IKW75N65SS5國產替代),BGH75N65ZF1（IKZA75N65RH5，IKZA75N65SS5國產替代），BG75N65HRA1維也納PFC電路，BGH40N120HF典型應用光伏三相儲能機雙向Buck-Boost電路，T型三電平橫管（IKW40N120H3，IKW40N120CS6，IKW40N120CS7國產替代）,BGH75N120HS 典型應用光伏三相儲能機雙向Buck-Boost電路，T型三電平橫管 (IKQ75N120CH3國產替代，IKQ75N120CS6國產替代，)特別適用于 DC-DC 功率變換器和PFC電路。其常見應用包括：戶用光伏逆變器650V混合SiC IGBT單管，戶用光伏逆變器，組串光伏逆變器，戶用儲能逆變器，雙向變流器，雙向逆變器，車載充電機（OBC）、ESS儲能系統(tǒng)、PV inverter光伏逆變器、UPS不間斷電源系統(tǒng) (UPS)，以及服務器和電信用開關電源 (SMPS) ，基本半導體混合碳化硅分立器件將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結合，為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質和性價比的方案。該器件將傳統(tǒng)的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封，在部分應用中可以替代傳統(tǒng)的IGBT （硅基IGBT與硅基快恢復二極管合封），使IGBT的開關損耗大幅降低，適用于車載電源充電機（OBC）、通信電源、高頻DC-DC電源轉換器、儲能等領域。
高效逆變器用 HERIC 電路和相關工藝可用于單相逆變器，該拓撲是在H橋的橋臂兩端加上兩個反向的開關管進行續(xù)流，以達到續(xù)流階段電網與光伏電池隔離的目的,尤其是在低功率范圍內（如屋頂光伏系統(tǒng)），其基于傳統(tǒng)H4電路上在交流側加入旁路功能的第五、六開關。其有效隔離了零電平時候交流濾波電感L與寄生電容C之間的無功交換，提升系統(tǒng)效率，且降低寄生電容上的電壓高頻分量，消除漏電流,通過利用BASiC基本半導體SiC碳化硅功率半導體的開關損耗低特性，單相HERIC電路中，用單一器件BASiC基本半導體650V混合SiC-IGBT單管可以有效降低高頻管的損耗，顯著降低器件的工作結溫，提升系統(tǒng)效率,BASiC基本半導體650V混合SiC-IGBT單管繼承了經典的TO247封裝，客戶可以在不變更PCB和電路情況下，對老的產品進行直接替換，從而在最短時間內達到系統(tǒng)效率的提升和增加開關頻率的目的。同時，由于器件帶來系統(tǒng)損耗減少的優(yōu)勢，可以降低散熱設計要求和成本；開關頻率提升可以有效降低并網電感的尺寸和大小，減少電流諧波對電網的污染。HERIC電路設計的拓撲結構可以實現(xiàn)高達99％超高轉化效率，同時將EMI保持在較低的水平。除了具有更高的能量輸出的優(yōu)點外，這種拓撲結構還降低了部件的熱應力，因而散熱器可以設計得更小，使用壽命卻更長。行業(yè)普遍認為到目前為止，這是戶用光伏逆變器儲能變流器PCS設備中較好的設計。
BASiC基本半導體混合IGBT Hybrid Discrete搭載了為高頻開關優(yōu)化的IGBT晶圓以及650VBASiC基本SiC二極管，基本SiC二極管極小Qrr，有效降低對管IGBT開通損耗，且自身反向恢復損耗Erec也明顯降低，IGBT開通損耗隨溫度的影響很小，降低EMI，廣泛應用于OBC車載充電器，光伏儲能逆變器，充電樁電源模塊，移動儲能逆變器功率因數(shù)校正（PFC）、DC-DC（直流-直流）和DC-AC（直流-交流）等。
BASiC基本半導體碳化硅MOSFET B1M160120HC，B1M080120HC，B1M080120HK，B1M032120HC，B1M032120HK具備開關中的小柵極電荷和器件電容、反并聯(lián)二極管無反向恢復損耗、與溫度無關的低開關損耗，以及無閾值通態(tài)特性等。非常適合硬開關和諧振開關拓撲，如LLC和ZVS，廣泛應用于OBC車載充電器，光伏儲能逆變器，充電樁電源模塊等，可以像IGBT或MOSFET一樣使用易于使用的驅動器進行驅動。由于能在高開關頻率下帶來高效率，從而可以減小系統(tǒng)尺寸、增大功率密度，并確保高可靠性，延長使用壽命。
光伏逆變器升壓SiC碳化硅二極管B2D10120H1,B2D20120HC1,B2D20120H1,B2D30120HC1,B2D30120H1,B2D40120H1,B2D20065HC1,B2D20065H1,B2D30065H,B2D40065H，B2D02120E1,光伏逆變器SiC MOSFET，IGBT Hybrid Discrete，混合三電平SiC-IGBT模塊，IGBT單管，混合IGBT單管，SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,SiC MOSFET模塊，SOT-227碳化硅肖特基二極管模塊，混合SiC-IGBT模塊，BASiC基本混合混合SiC-IGBT單管，分立碳化硅MOSFET，TO263-7碳化硅MOSFET，碳化硅（SiC）MOSFET，儲能逆變器SiC MOSFET，光伏逆變器SiC MOSFET，三電平IGBT模塊，光儲一體機混合IGBT器件
BASiC基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎上，實現(xiàn)了更高的電流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向導通壓降。BASiC基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管繼承了一代和二代產品的優(yōu)點，采用JBS結構，優(yōu)化了N-外延層的摻雜濃度，減薄N+襯底層，使得二極管具有更低的正向導通壓降VF和結電荷QC，可以降低應用端的導通損耗和開關損耗。
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